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时间：2024-09-08 浏览量：0次
记者从中国科学手艺年夜学领会到，该校微电子学院龙世兵传授课题组两篇论文成功入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD)。据悉，ISPSD是功率半导体器件和集成电路范畴国际学术会议。
能源、消息、国防、轨道交通、电动汽车等范畴的快速成长，对功率半导体器件机能提出了更高的要求，高耐压、低消耗、年夜功率器件成为将来成长的趋向。氧化镓作为新一代功率半导体材料，禁带宽带年夜、抗极端情况强，无望在将来功率器件范畴阐扬极为主要的感化。但氧化镓功率半导体器件推向财产化依然有良多问题，包罗边沿峰值电场难以按捺、加强型晶体管难以实现。该课题组针对这两个痛点别离睁开研发工作。
课题组基在前期研究根本，设想告终终端扩大布局，并优化退火工艺，成功制备出耐高压且耐高温的氧化镓异质结二极管。终究测试成果注解该器件具有低导通电阻和室温下高击穿电压，其功率质量因数高达2.83吉瓦/平方厘米。另外，器件在250°C下仍能连结1.77千伏的击穿电压，表示出极好的高温阻断特征，这是该范畴初次报导的高温击穿特征。研究功效颁发在ISPSD 2022上。
一样地，课题组在原有加强型晶体管设想根本上，成功设想并制备出了氧化镓加强型异质结场效应晶体管。该器件到达了0.9伏特的阈值电压、较低的亚阈值摆幅、高器件跨导和接近零的器件回滞特征，这些特征注解器件具有杰出的栅极节制能力。另外，器件的导通电阻获得了很好的连结，而且击穿电压到达了980伏特。研究功效颁发在ISPSD 2022上。
